?SK海力士將于2月量產(chǎn)1c DRAM，而三星則推遲半年
在 SK 海力士即將公布第四季度業(yè)績之前，另一家韓國內(nèi)存巨頭三星可能再次陷入困境。據(jù) MoneyToday 報道，該公司已將其 10nm 級第六代 (1c) DRAM 的開發(fā)再推遲六個月，將目標日期推遲到 2025 年 6 月。SK海力士或?qū)⒂?月開始量產(chǎn)1c DRAMMoneyToday 在之前的報道中透露，SK 海力士最快將于 2 月成為全球第一家使用 1c 工藝大規(guī)模生產(chǎn) DRAM 的公司。根據(jù)該報告，SK 海力士最近完成了 1c DDR5 的量產(chǎn)認證。三星的 HBM4 生產(chǎn)面臨潛在的延遲然而，消.
投資21.7億美元，美光宣布擴建美國弗吉尼亞州DRAM工廠
2025年1月1日消息，美光公司總裁Glenn Youngkin表示，美光公司計劃投資21.7億美元擴建其在美國弗吉尼亞州馬納薩斯的半導體工廠，將提高其在美國的半導體產(chǎn)能。該項目將升級該設(shè)施，為工業(yè)、汽車、航空航天和國防應用生產(chǎn)專用DRAM存儲器，預計將創(chuàng)造340個就業(yè)機會。本月早些時候，美國商務(wù)部宣布，已根據(jù)《芯片與科學法案》向美光提供了2.75億美元的聯(lián)邦資金，用于升級其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的長周期DRAM晶圓廠，并將汽車行業(yè)的DRAM生產(chǎn)從中國臺灣...
